सिद्धांत पहलू
आयन बीम पॉलिशिंग: यह एक भौतिक प्रसंस्करण विधि है। यह कार्बन स्टील की सतह पर बमबारी करने के लिए उच्च ऊर्जा आयन बीम (जैसे आर्गन आयन बीम) का उपयोग करता है। आयन सतह के परमाणुओं से टकराते हैं और परमाणुओं को एक-एक करके दूर फेंक देते हैं। यह विधि मुख्य रूप से भौतिक परमाणु स्पटरिंग सिद्धांत पर आधारित है और आयन बीम की ऊर्जा, बीम वर्तमान घनत्व, स्कैनिंग पथ इत्यादि को सटीक रूप से नियंत्रित करके कार्बन स्टील सतह की उच्च परिशुद्धता प्रसंस्करण का एहसास करती है। उदाहरण के लिए, आयन बीम पॉलिशिंग उपकरण में, सतह परमाणुओं की निष्कासन दर को नियंत्रित करने के लिए आयन ऊर्जा को कई सौ इलेक्ट्रॉन वोल्ट और कई हजार इलेक्ट्रॉन वोल्ट के बीच समायोजित किया जा सकता है।

रासायनिक-यांत्रिक पॉलिशिंग (सीएमपी): यह एक पॉलिशिंग विधि है जो रासायनिक और यांत्रिक क्रियाओं को जोड़ती है। सीएमपी प्रक्रिया के दौरान, एक ओर, पॉलिशिंग घोल में रासायनिक अभिकर्मक (जैसे ऑक्सीडेंट, कॉम्प्लेक्सिंग एजेंट, आदि) सतह सामग्री पर अपेक्षाकृत नरम यौगिक बनाने के लिए कार्बन स्टील की सतह के साथ प्रतिक्रिया करते हैं; दूसरी ओर, पॉलिशिंग पैड और कार्बन स्टील की सतह के बीच यांत्रिक घर्षण इन नरम यौगिकों को हटा देता है। उदाहरण के लिए, कार्बन स्टील पर सीएमपी करने के लिए हाइड्रोजन पेरोक्साइड जैसे ऑक्सीडेंट युक्त पॉलिशिंग घोल का उपयोग करते समय, कार्बन स्टील की सतह पर लोहे के परमाणुओं को आयरन ऑक्साइड और अन्य यौगिकों को बनाने के लिए ऑक्सीकरण किया जाएगा, और फिर इन यौगिकों को पीस दिया जाएगा। पॉलिशिंग पैड के घर्षण से बंद।

 

सतह की गुणवत्ता पहलू

रासायनिक - यांत्रिक पॉलिशिंग (सीएमपी): यद्यपि यह अच्छी सतह फिनिश भी प्राप्त कर सकता है, यांत्रिक घर्षण की भागीदारी के कारण, यह कार्बन स्टील की सतह पर छोटे खरोंच छोड़ सकता है या सतह परत के प्लास्टिक विरूपण का कारण बन सकता है। और सीएमपी प्रक्रिया के दौरान, यदि रासायनिक अभिकर्मकों और कार्बन स्टील की सतह के बीच प्रतिक्रिया असमान है या यांत्रिक क्रिया ठीक से नियंत्रित नहीं है, तो सतह की समतलता कम हो सकती है। उदाहरण के लिए, पॉलिशिंग पैड के असमान घिसाव या पॉलिशिंग घोल के असमान वितरण के मामले में, कार्बन स्टील की सतह पर कुछ हिस्सों में ओवर-पॉलिशिंग या अंडर-पॉलिशिंग की घटना हो सकती है।

 

 

 

 

 

 

श्रेणी	सी अधिकतम	सी अधिकतम	एम.एन.	पी अधिकतम	एस अधिकतम	अल्स मि	टीआई अधिकतम	Cu अधिकतम	करोड़ अधिकतम	नी अधिकतम	एमओ अधिकतम	नायब	V
एएच36	0.18	0.50	0.90-1.60	0.035	0.035	0.015	0.02	0.35	0.20	0.40	0.08	0.02-0.05	0.05-0.10

 

 

प्रसंस्करण दक्षता पहलू

रासायनिक-यांत्रिक पॉलिशिंग (सीएमपी): सीएमपी की प्रसंस्करण दक्षता अपेक्षाकृत कम है क्योंकि इसमें रासायनिक और यांत्रिक दोनों क्रियाओं को एक साथ नियंत्रित करने की आवश्यकता होती है। वास्तविक संचालन में, आदर्श पॉलिशिंग प्रभाव प्राप्त करने के लिए पॉलिशिंग घोल की संरचना, पॉलिशिंग पैड के दबाव और रोटेशन की गति आदि को समायोजित करने में लंबा समय लग सकता है। इसके अलावा, पॉलिशिंग प्रक्रिया के दौरान, पॉलिशिंग घोल को लगातार भरना और पॉलिशिंग पैड को नियमित रूप से बदलना आवश्यक है, और ये ऑपरेशन समग्र प्रसंस्करण दक्षता को प्रभावित करेंगे।

 

 

 

पर्यावरण संरक्षण और लागत पहलू

रासायनिक - मैकेनिकल पॉलिशिंग (सीएमपी): सीएमपी प्रक्रिया में उपयोग किए जाने वाले पॉलिशिंग घोल में रासायनिक पदार्थ हो सकते हैं और अगर ठीक से संभाला न जाए तो पर्यावरण प्रदूषित हो सकता है। वहीं, पॉलिशिंग पैड के प्रतिस्थापन और पॉलिशिंग घोल की खपत से भी लागत में वृद्धि होगी। हालाँकि, सीएमपी उपकरण अपेक्षाकृत सरल है, और उपकरण निवेश और रखरखाव लागत आयन बीम पॉलिशिंग की तुलना में कम है, इसलिए कुछ कार्बन-स्टील सतह उपचार क्षेत्रों में इसका एक निश्चित लाभ है जो लागत के प्रति अधिक संवेदनशील हैं।

 

 

 

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